扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究

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	扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究
	陈芳; 房丹; 王双鹏; 方铉; 唐吉龙; 赵海峰; 方芳; 楚学影; 李金华; 王菲
刊名	光谱学与光谱分析
	2015-07-15
期号	07 页码:1787-1790
关键词	扩散掺杂 p型ZnO P掺杂原子层沉积光致发光
中文摘要	采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53985]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	陈芳,房丹,王双鹏,等. 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究[J]. 光谱学与光谱分析,2015(07):1787-1790.
APA	陈芳.,房丹.,王双鹏.,方铉.,唐吉龙.,...&魏志鹏.(2015).扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究.光谱学与光谱分析(07),1787-1790.
MLA	陈芳,et al."扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究".光谱学与光谱分析 .07(2015):1787-1790.