Sr-F共掺杂的SnO_2基透明导电薄膜

	Sr-F共掺杂的SnO_2基透明导电薄膜
	吴绍航; 张楠; 郭晓阳; 蒋大鹏; 刘星元
刊名	发光学报
	2015-07-15
期号	07 页码:829-833
关键词	透明导电薄膜无铟 SnO2 半导体掺杂
中文摘要	利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2(SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过率,电阻率低于3.9×10-3Ω·cm,380~2500nm波段的平均透过率大于85%,功函数约为5.10eV。SFTO透明导电薄膜为非晶态薄膜,具有较好的表面平整度(Rq<1.5nm)。与工业上F掺杂SnO2薄膜的衬底温度(>450℃)相比,本文所用的衬底温度仅为300℃,有望直接将SnO2基透明导电非晶薄膜制备到柔性的塑料(PI、PAR或PCO)衬底上以获得性能良好的柔性电极。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53393]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	吴绍航,张楠,郭晓阳,等. Sr-F共掺杂的SnO_2基透明导电薄膜[J]. 发光学报,2015(07):829-833.
APA	吴绍航,张楠,郭晓阳,蒋大鹏,&刘星元.(2015).Sr-F共掺杂的SnO_2基透明导电薄膜.发光学报(07),829-833.
MLA	吴绍航,et al."Sr-F共掺杂的SnO_2基透明导电薄膜".发光学报 .07(2015):829-833.