单分散纳米二氧化硅的可控制备以及高浓度正硅酸乙酯条件下的反应机理

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	单分散纳米二氧化硅的可控制备以及高浓度正硅酸乙酯条件下的反应机理
	赵立强 ; 南泉 ; 金花子
刊名	化学工程师
	2016-07-25
期号	7 页码:1-5
关键词	Stber法纳米二氧化硅单分散制备机理
中文摘要	采用Stber法,在60℃,正硅酸乙酯(TEOS)浓度为1mol·L~(-1)的条件下制备得到粒径为55nm的SiO_2,多分散指数(Polydispersity Index,PDI)为0.05,显示了良好的单分散性,找到了一种在高TEOS浓度、高温条件下制备单分散纳米SiO_2的方法,并探讨了制备机理。同时还研究了TEOS、水和NH_3·H_2O浓度以及反应温度对产物颗粒粒径及其分布的影响。
公开日期	2016-08-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/76038]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵立强,南泉,金花子. 单分散纳米二氧化硅的可控制备以及高浓度正硅酸乙酯条件下的反应机理[J]. 化学工程师,2016(7):1-5.
APA	赵立强,南泉,&金花子.(2016).单分散纳米二氧化硅的可控制备以及高浓度正硅酸乙酯条件下的反应机理.化学工程师(7),1-5.
MLA	赵立强,et al."单分散纳米二氧化硅的可控制备以及高浓度正硅酸乙酯条件下的反应机理".化学工程师 .7(2016):1-5.