MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究

CORC > 光电技术研究所 > 中国科学院光电技术研究所 > 微细加工光学技术国家重点实验室（开放室）

	MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究
	汪为民,王强,邱传凯等
刊名	半导体光电
	2015
卷号	36 期号:6 页码:925-929+935
关键词	MEMS 静电驱动器场致电子发射场增强因子名义发射面积可靠性
通讯作者	汪为民
中文摘要	为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应。根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子。由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6915]
专题	光电技术研究所_微细加工光学技术国家重点实验室（开放室）
作者单位	1.中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 2.电子科技大学光电信息学院 3.中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	汪为民,王强,邱传凯等. MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究[J]. 半导体光电,2015,36(6):925-929+935.
APA	汪为民,王强,邱传凯等.(2015).MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究.半导体光电,36(6),925-929+935.
MLA	汪为民,王强,邱传凯等."MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究".半导体光电 36.6(2015):925-929+935.