PI柔性衬底上Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的常温制备及特性研究

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	PI柔性衬底上Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的常温制备及特性研究
	车丙晨 ; 朱超挺 ; 谭瑞琴 ; 李佳 ; 黄琦金 ; 宋伟杰
刊名	真空科学与技术学报
	2015
卷号	35 期号:12 页码:1507-1512
关键词	GZO薄膜射频磁控溅射光电特性 PI柔性衬底
ISSN号	1672-7126
中文摘要	采用射频(RF)磁控溅射技术在室温条件下制备了基于柔性PI衬底上不同氧化镓(Ga_2O_3)掺杂浓度的ZnO(GZO)薄膜。研究发现,在Ga_2O_3掺杂浓度为5%(质量比)情况下,制备的GZO薄膜具有最优化的光电特性,其对应电阻率为5.85×10~(-4)Ω·cm,Hall迁移率为14.6 cm~2·V~(-1)·s~(-1),载流子浓度为7.33×1020cm~(-3),可见光区平均透过率为86.5%。经过1000次弯折测试后,垂直于折痕方向的电阻明显增大,而平行于折痕方向的电阻变化相对较小。基于以上结果,可以得出所制备的GZO薄膜具备优异的光电特性,有望应用于各种柔性光电设备。
公开日期	2016-09-18
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/12184]
专题	宁波材料技术与工程研究所_2015专题
推荐引用方式 GB/T 7714	车丙晨,朱超挺,谭瑞琴,等. PI柔性衬底上Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的常温制备及特性研究[J]. 真空科学与技术学报,2015,35(12):1507-1512.
APA	车丙晨,朱超挺,谭瑞琴,李佳,黄琦金,&宋伟杰.(2015).PI柔性衬底上Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的常温制备及特性研究.真空科学与技术学报,35(12),1507-1512.
MLA	车丙晨,et al."PI柔性衬底上Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的常温制备及特性研究".真空科学与技术学报 35.12(2015):1507-1512.