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	在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
	孔庆峰 ; 马平 ; 纪攀峰 ; 卢鹏志 ; 杨华 ; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 王国宏 ; 曾一平 ; 李晋闽
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体器件
公开日期	2016-09-02
申请日期	2014-07-16
专利申请号	CN201410337635.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27349]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	孔庆峰,马平,纪攀峰,等. 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法.

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