红外光电探测器及其制造方法
任飞 ; 刘舒曼 ; 王风娇 ; 翟胜强 ; 梁平 ; 刘峰奇 ; 王占国
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题半导体材料
公开日期2016-09-29
申请日期2015-06-03
专利申请号CN201510300412.1
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27641]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
任飞,刘舒曼,王风娇,等. 红外光电探测器及其制造方法.
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