基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 | |
郭菲 ; 陆丹 ; 张瑞康 ; 王会涛 ; 王圩 ; 吉晨 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体所 |
学科主题 | 半导体材料 |
公开日期 | 2016-09-22 |
申请日期 | 2015-06-23 |
专利申请号 | CN201510348841.6 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27539] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭菲,陆丹,张瑞康,等. 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构. |
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