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	一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品
	王晓亮 ; 闫俊达 ; 李百泉 ; 王权 ; 肖红领 ; 冯春 ; 殷海波 ; 姜丽娟 ; 邱爱芹 ; 介芳
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体材料
公开日期	2016-09-12
申请日期	2015-12-08
专利申请号	CN201510892854.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27361]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓亮,闫俊达,李百泉,等. 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品.

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