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	硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
	杨涛 ; 杜文娜 ; 杨晓光 ; 王小耶 ; 季祥海 ; 王占国
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体材料
公开日期	2016-09-12
申请日期	2014-12-17
专利申请号	CN201410785433.2
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27449]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,杜文娜,杨晓光,等. 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法.

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