| 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 | |
| 杨静 ; 赵德刚 ; 乐伶聪 ; 李晓静 ; 何晓光 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 申请日期 | 2014-09-02 |
| 专利申请号 | CN201410443191.9 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27314]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,乐伶聪,等. 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法. |
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