| 基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法 | |
| 周亚玲 ; 付英春 ; 王晓峰 ; 王晓东 ; 杨富华 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 公开日期 | 2016-09-22 |
| 申请日期 | 2015-07-15 |
| 专利申请号 | CN201510416091.1 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27496]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周亚玲,付英春,王晓峰,等. 基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法. |
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