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	一种半导体激光器及其制备方法
	杨成奥 ; 张宇 ; 廖永平 ; 魏思航 ; 徐应强 ; 牛智川
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体物理
公开日期	2016-09-12
申请日期	2015-08-31
专利申请号	CN201510544459.2
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27363]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	杨成奥,张宇,廖永平,等. 一种半导体激光器及其制备方法.

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