晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法

	晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法
	周春兰
刊名	中国测试技术
	2007
卷号	33 期号:6 页码:25
通讯作者	周春兰
中文摘要	少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数，它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法。包括微波光电导衰减法(MW-PCD)，准稳态光电导方法(QSSPC)，表面光电压(SPV)，IR浓度载流子浓度成像(CDI)。调制自由载流子吸收(MFcA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC，EBLC)，并指出了各种方法的优点和不足。
学科主题	半导体物理学
收录类别	9
公开日期	2010-09-29
附注	少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数，它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法。包括微波光电导衰减法(MW-PCD)，准稳态光电导方法(QSSPC)，表面光电压(SPV)，IR浓度载流子浓度成像(CDI)。调制自由载流子吸收(MFcA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC，EBLC)，并指出了各种方法的优点和不足。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.iee.ac.cn/handle/311042/1650]
专题	电工研究所_太阳能电池技术研究组_太阳能电池技术研究组_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	周春兰. 晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法[J]. 中国测试技术,2007,33(6):25.
APA	周春兰.(2007).晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法.中国测试技术,33(6),25.
MLA	周春兰."晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法".中国测试技术 33.6(2007):25.