应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺

	应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺
	周春兰
刊名	太阳能学报
	2010
卷号	31 期号:5 页码:95
通讯作者	周春兰
中文摘要	研究了在 P型单晶硅上扩散的 N区发射极上选择性化学镀镍工艺，获得了较为优化的化学镀工艺过程，得到了均匀致密的镀层。其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸浸泡和 HF处理、以及氯化钯的活化方法，使得镀层质量得以提高。进行了合金化处理温度对合金层的电阻率影响的研究，结果发现在 N2气氛下 330oC的热处理将会促进具有最低方块电阻的 NiSi合金的形成。在方块电阻为 45Ω/□的发射极上，化学镀后得到了方块电阻为 2Ω/□的 NiSi合金层。
学科主题	半导体物理学
收录类别	4
公开日期	2010-09-29
附注	研究了在 P型单晶硅上扩散的 N区发射极上选择性化学镀镍工艺，获得了较为优化的化学镀工艺过程，得到了均匀致密的镀层。其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸浸泡和 HF处理、以及氯化钯的活化方法，使得镀层质量得以提高。进行了合金化处理温度对合金层的电阻率影响的研究，结果发现在 N2气氛下 330oC的热处理将会促进具有最低方块电阻的 NiSi合金的形成。在方块电阻为 45Ω/□的发射极上，化学镀后得到了方块电阻为 2Ω/□的 NiSi合金层。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.iee.ac.cn/handle/311042/1644]
专题	电工研究所_太阳能电池技术研究组_太阳能电池技术研究组_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	周春兰. 应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺[J]. 太阳能学报,2010,31(5):95.
APA	周春兰.(2010).应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺.太阳能学报,31(5),95.
MLA	周春兰."应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺".太阳能学报 31.5(2010):95.