低温功率器件驱动电路实验研究

	低温功率器件驱动电路实验研究
	张国民
刊名	低温物理学报
	2006
通讯作者	张国民
中文摘要	低温电力电子技术的发展日益得到重视，主要是由于功率器件(如功率MOSFET和IGBT等)在低温下表现出更好的性能，如更低的通态阻抗，更高的开关频率等。为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能，急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路。我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上，从中挑选了三种在低温下进行实验，对其输出波形随温度的变化进行研究，首次发现了可以在-196℃(77K)稳定工作的驱动芯片，其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求，为功率器件低温特性测试及低温功率变换电路的设计奠定了坚实的基础。
学科主题	超导电工技术
收录类别	9
公开日期	2010-09-29
附注	低温电力电子技术的发展日益得到重视，主要是由于功率器件(如功率MOSFET和IGBT等)在低温下表现出更好的性能，如更低的通态阻抗，更高的开关频率等。为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能，急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路。我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上，从中挑选了三种在低温下进行实验，对其输出波形随温度的变化进行研究，首次发现了可以在-196℃(77K)稳定工作的驱动芯片，其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求，为功率器件低温特性测试及低温功率变换电路的设计奠定了坚实的基础。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.iee.ac.cn/handle/311042/657]
专题	电工研究所_超导电力科学技术研究发展中心_超导电力科学技术研究发展中心_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张国民. 低温功率器件驱动电路实验研究[J]. 低温物理学报,2006.
APA	张国民.(2006).低温功率器件驱动电路实验研究.低温物理学报.
MLA	张国民."低温功率器件驱动电路实验研究".低温物理学报 (2006).