ZrC和ZrB_2掺杂对PIT法制备MgB_2带材的影响

	ZrC和ZrB_2掺杂对PIT法制备MgB_2带材的影响
	马衍伟
刊名	科学通报
	2006
通讯作者	马衍伟
中文摘要	采用ZrC和ZrB2掺杂在常压条件下制备了MgB2/Fe超导带材.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段,重点研究了ZrC和ZrB2掺杂对超导带材组织和性能的不同影响.结果显示,ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低,临界转变温度保持不变;ZrB2掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度,而临界转变温度略微下降了0.5K.实验结果表明,采用ZrB2掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB2带材.
学科主题	材料合成与加工工艺
收录类别	9
公开日期	2010-09-29
附注	采用ZrC和ZrB2掺杂在常压条件下制备了MgB2/Fe超导带材.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段,重点研究了ZrC和ZrB2掺杂对超导带材组织和性能的不同影响.结果显示,ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低,临界转变温度保持不变;ZrB2掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度,而临界转变温度略微下降了0.5K.实验结果表明,采用ZrB2掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB2带材.
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.iee.ac.cn/handle/311042/273]
专题	电工研究所_超导材料及强磁场科学研究组_超导材料及强磁场科学研究组_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	马衍伟. ZrC和ZrB_2掺杂对PIT法制备MgB_2带材的影响[J]. 科学通报,2006.
APA	马衍伟.(2006).ZrC和ZrB_2掺杂对PIT法制备MgB_2带材的影响.科学通报.
MLA	马衍伟."ZrC和ZrB_2掺杂对PIT法制备MgB_2带材的影响".科学通报 (2006).