题名 | Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 |
作者 | 张硕 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2016-05-26 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 段瑞飞 |
关键词 | AlN 溅射法 Si(100)衬底 氧污染 椭偏测量 |
学位专业 | 材料物理与化学 |
学科主题 | 半导体材料 |
公开日期 | 2016-06-12 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27201] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张硕. Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2016. |
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