温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响

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	温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
	王帆; 李豫东; 郭旗; 汪波; 张兴尧; 郭旗; 李豫东
刊名	发光学报
	2016
卷号	37 期号:3 页码:332-337
关键词	CMOS图像传感器转换增益满阱容量暗电流温度
中文摘要	为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。
收录类别	EI
资助信息	国家自然科学基金(11005152)资助项目
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4497]
专题	新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王帆；李豫东；郭旗；汪波；张兴尧；,郭旗,李豫东. 温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响[J]. 发光学报,2016,37(3):332-337.
APA	王帆；李豫东；郭旗；汪波；张兴尧；,郭旗,&李豫东.(2016).温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响.发光学报,37(3),332-337.
MLA	王帆；李豫东；郭旗；汪波；张兴尧；,et al."温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响".发光学报 37.3(2016):332-337.