| 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法 | |
| 李海洋; 梁茜茜; 王新; 周庆华; 陈创; 王祯鑫; 温萌 | |
| 2015-11-01 | |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN201310691090.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及采用便携式的离子迁移谱灵敏评估以爆炸物分子为模板的分子印迹材料的新方法。本发明以TNT爆炸物分子印迹材料为例，属于离子迁移谱检测技术领域，采用负离子模式，镍源电离源或紫外灯电离源，论述了配有热解析进样器，建立了离子迁移谱分析分子印迹材料吸附性能的新方法。 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2015-06-17 |
| 授权日期 | 2015-11-01 |
| 申请日期 | 2013-12-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201310691090.9 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144862]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李海洋,梁茜茜,王新,等. 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法, 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法, 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法, 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法. CN201310691090.9. 2015-11-01. |
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