MBE Inx Ga(1-x) As/GaAs(001)系统晶格失配的研究 | |
王玉田 ; 李成基 ; 任庆余 | |
刊名 | 半导体学报
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1989 | |
卷号 | 10期号:8页码:637 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20635] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田,李成基,任庆余. MBE Inx Ga(1-x) As/GaAs(001)系统晶格失配的研究[J]. 半导体学报,1989,10(8):637. |
APA | 王玉田,李成基,&任庆余.(1989).MBE Inx Ga(1-x) As/GaAs(001)系统晶格失配的研究.半导体学报,10(8),637. |
MLA | 王玉田,et al."MBE Inx Ga(1-x) As/GaAs(001)系统晶格失配的研究".半导体学报 10.8(1989):637. |
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