GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱 | |
曾安 ; 吴荣汉 ; 曾一平 ; 孔梅影 ; 王启明 | |
刊名 | 半导体学报
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1989 | |
卷号 | 10期号:11页码:881 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20617] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾安,吴荣汉,曾一平,等. GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱[J]. 半导体学报,1989,10(11):881. |
APA | 曾安,吴荣汉,曾一平,孔梅影,&王启明.(1989).GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱.半导体学报,10(11),881. |
MLA | 曾安,et al."GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱".半导体学报 10.11(1989):881. |
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