GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱
曾安 ; 吴荣汉 ; 曾一平 ; 孔梅影 ; 王启明
刊名半导体学报
1989
卷号10期号:11页码:881
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20617]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
曾安,吴荣汉,曾一平,等. GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱[J]. 半导体学报,1989,10(11):881.
APA 曾安,吴荣汉,曾一平,孔梅影,&王启明.(1989).GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱.半导体学报,10(11),881.
MLA 曾安,et al."GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱".半导体学报 10.11(1989):881.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace