一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器

	一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器
	朱龙德 ; Feak G A B ; Ballantyne J M ; Wagner D K ; Tihanyi P L
刊名	半导体学报
	1989
卷号	10 期号:10 页码:799
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:17:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6420.pdf: 1720220 bytes, checksum: ed9f31929c1e35e1f00b355cadab53c6 (MD5) Previous issue date: 1989; 中科院半导体所;康乃尔大学;麦道公司光电子中心
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20609]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱龙德,Feak G A B,Ballantyne J M,等. 一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器[J]. 半导体学报,1989,10(10):799.
APA	朱龙德,Feak G A B,Ballantyne J M,Wagner D K,&Tihanyi P L.(1989).一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器.半导体学报,10(10),799.
MLA	朱龙德,et al."一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器".半导体学报 10.10(1989):799.