一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器 | |
朱龙德 ; Feak G A B ; Ballantyne J M ; Wagner D K ; Tihanyi P L | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
1989 | |
卷号 | 10期号:10页码:799 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:17:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6420.pdf: 1720220 bytes, checksum: ed9f31929c1e35e1f00b355cadab53c6 (MD5) Previous issue date: 1989; 中科院半导体所;康乃尔大学;麦道公司光电子中心 |
学科主题 | 半导体器件 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20609] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱龙德,Feak G A B,Ballantyne J M,等. 一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器[J]. 半导体学报,1989,10(10):799. |
APA | 朱龙德,Feak G A B,Ballantyne J M,Wagner D K,&Tihanyi P L.(1989).一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器.半导体学报,10(10),799. |
MLA | 朱龙德,et al."一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器".半导体学报 10.10(1989):799. |
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