MBE高掺Be p-GaAs中Eg＋△0等高于带边的发光

	MBE高掺Be p-GaAs中Eg＋△0等高于带边的发光
	胡天斗 ; 许继宗 ; 梁基本 ; 庄蔚华
刊名	半导体学报
	1989
卷号	10 期号:3 页码:222
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20573]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡天斗,许继宗,梁基本,等. MBE高掺Be p-GaAs中Eg＋△0等高于带边的发光[J]. 半导体学报,1989,10(3):222.
APA	胡天斗,许继宗,梁基本,&庄蔚华.(1989).MBE高掺Be p-GaAs中Eg＋△0等高于带边的发光.半导体学报,10(3),222.
MLA	胡天斗,et al."MBE高掺Be p-GaAs中Eg＋△0等高于带边的发光".半导体学报 10.3(1989):222.