MBE高掺Be p-GaAs中Eg+△0等高于带边的发光 | |
胡天斗 ; 许继宗 ; 梁基本 ; 庄蔚华 | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
1989 | |
卷号 | 10期号:3页码:222 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20573] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡天斗,许继宗,梁基本,等. MBE高掺Be p-GaAs中Eg+△0等高于带边的发光[J]. 半导体学报,1989,10(3):222. |
APA | 胡天斗,许继宗,梁基本,&庄蔚华.(1989).MBE高掺Be p-GaAs中Eg+△0等高于带边的发光.半导体学报,10(3),222. |
MLA | 胡天斗,et al."MBE高掺Be p-GaAs中Eg+△0等高于带边的发光".半导体学报 10.3(1989):222. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论