静压下GaAs1—xPx:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光 | |
糜东林 ; 郑健生 ; 颜炳章 ; 李国华 ; 汪兆平 ; 韩和相 | |
刊名 | 厦门大学学报. 自然科学版
![]() |
1990 | |
卷号 | 29期号:5页码:510 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20359] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 糜东林,郑健生,颜炳章,等. 静压下GaAs1—xPx:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光[J]. 厦门大学学报. 自然科学版,1990,29(5):510. |
APA | 糜东林,郑健生,颜炳章,李国华,汪兆平,&韩和相.(1990).静压下GaAs1—xPx:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光.厦门大学学报. 自然科学版,29(5),510. |
MLA | 糜东林,et al."静压下GaAs1—xPx:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光".厦门大学学报. 自然科学版 29.5(1990):510. |
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