静压下GaAs1—xPx：N（x≤0.88）中N等电子陷阱的束缚激子发光

	静压下GaAs1—xPx：N（x≤0.88）中N等电子陷阱的束缚激子发光
	糜东林 ; 郑健生 ; 颜炳章 ; 李国华 ; 汪兆平 ; 韩和相
刊名	厦门大学学报. 自然科学版
	1990
卷号	29 期号:5 页码:510
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20359]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	糜东林,郑健生,颜炳章,等. 静压下GaAs1—xPx：N（x≤0.88）中N等电子陷阱的束缚激子发光[J]. 厦门大学学报. 自然科学版,1990,29(5):510.
APA	糜东林,郑健生,颜炳章,李国华,汪兆平,&韩和相.(1990).静压下GaAs1—xPx：N（x≤0.88）中N等电子陷阱的束缚激子发光.厦门大学学报. 自然科学版,29(5),510.
MLA	糜东林,et al."静压下GaAs1—xPx：N（x≤0.88）中N等电子陷阱的束缚激子发光".厦门大学学报. 自然科学版 29.5(1990):510.