Ga（1-x）InxSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长

	Ga（1-x）InxSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长
	陆大成 ; 汪度 ; 刘祥林 ; 万寿科 ; 王玉田
刊名	半导体学报
	1992
卷号	13 期号:9 页码:584
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20257]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陆大成,汪度,刘祥林,等. Ga（1-x）InxSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长[J]. 半导体学报,1992,13(9):584.
APA	陆大成,汪度,刘祥林,万寿科,&王玉田.(1992).Ga（1-x）InxSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长.半导体学报,13(9),584.
MLA	陆大成,et al."Ga（1-x）InxSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长".半导体学报 13.9(1992):584.