CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响

	CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响
	张一心 ; 李朝勇 ; 李光平 ; 何秀坤 ; 卢存刚 ; 李祖华
刊名	半导体学报
	1992
卷号	13 期号:7 页码:438
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20251]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张一心,李朝勇,李光平,等. CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响[J]. 半导体学报,1992,13(7):438.
APA	张一心,李朝勇,李光平,何秀坤,卢存刚,&李祖华.(1992).CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响.半导体学报,13(7),438.
MLA	张一心,et al."CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响".半导体学报 13.7(1992):438.