弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响

	弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响
	毕文刚 ; 李爱珍
刊名	半导体学报
	1992
卷号	13 期号:6 页码:359
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20247]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	毕文刚,李爱珍. 弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响[J]. 半导体学报,1992,13(6):359.
APA	毕文刚,&李爱珍.(1992).弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响.半导体学报,13(6),359.
MLA	毕文刚,et al."弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响".半导体学报 13.6(1992):359.