低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

	低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
	陈良惠
刊名	半导体学报
	1992
卷号	13 期号:4 页码:258
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6222.pdf: 133164 bytes, checksum: a3f053a6547367361533243918019817 (MD5) Previous issue date: 1992; 中科院半导体所;中科院物理所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20229]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器[J]. 半导体学报,1992,13(4):258.
APA	陈良惠.(1992).低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器.半导体学报,13(4),258.
MLA	陈良惠."低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器".半导体学报 13.4(1992):258.