低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器 | |
陈良惠![]() | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
1992 | |
卷号 | 13期号:4页码:258 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6222.pdf: 133164 bytes, checksum: a3f053a6547367361533243918019817 (MD5) Previous issue date: 1992; 中科院半导体所;中科院物理所 |
学科主题 | 半导体器件 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20229] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器[J]. 半导体学报,1992,13(4):258. |
APA | 陈良惠.(1992).低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器.半导体学报,13(4),258. |
MLA | 陈良惠."低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器".半导体学报 13.4(1992):258. |
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