InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析

	InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析
	朱龙德 ; 李昌 ; 陈德勇 ; 熊飞克
刊名	半导体学报
	1993
卷号	14 期号:4 页码:208
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:03导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6158.pdf: 2700734 bytes, checksum: f9ac57b7ffae5a0b2b46f75fcbcfb151 (MD5) Previous issue date: 1993; 中科院半导体所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20103]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱龙德,李昌,陈德勇,等. InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析[J]. 半导体学报,1993,14(4):208.
APA	朱龙德,李昌,陈德勇,&熊飞克.(1993).InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析.半导体学报,14(4),208.
MLA	朱龙德,et al."InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析".半导体学报 14.4(1993):208.