半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究

CORC > 金属研究所 > 中国科学院金属研究所

	半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究
	刘宝丹 ; 刘青云 ; 杨兵 ; 姜辛
	2015-08-11
关键词	半导体纳米材料结构缺陷光学性能
中文摘要	以GaN为代表的宽禁带半导体纳米材料在纳米光学、纳米电子学、纳米光电子学领域具有潜在应用价值。[1-5]半导体纳米材料的尺寸、成分、结晶度、生长取向及晶体结构缺陷与光电性能之间关系密切,尤其是晶体结构缺陷对其发光性能影响显著。与宏观块体材料相比,尺寸在数百纳米范围内的纳米材料的晶体结构缺陷主要表现为位错、层错、孪晶等。这些晶体结构缺陷不仅影响半导体材料的本征带隙发光,而且还影响到缺陷发光的强度和峰位。因此,建立半导体纳米材料的晶体结构缺陷与发光性能之间的相互关系对于理解半导体纳米材料的发光机制和光电器件搭建具有重要的指导意义。在本报告中,我们将主要介绍利用高分辨透射电镜和阴极射线荧光技术研究几...
会议录	第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74547]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘宝丹,刘青云,杨兵,等. 半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究[C]. 见:.