MPCVD制备SiC薄膜及其在重金属离子痕量检测方面的研究

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	MPCVD制备SiC薄膜及其在重金属离子痕量检测方面的研究
	王春 ; 黄楠 ; 庄昊 ; 杨兵 ; 田清泉 ; 郭宇宁 ; 刘鲁生 ; 姜辛
	2015-08-21
关键词	MPCVD SiC薄膜重金属离子检测
中文摘要	宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注。同时,其稳定的化学性质和宽的电化学势窗也使SiC薄膜可以用作电化学电极材料。本文利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅基体上制备SiC薄膜,通过改变功率和工作气压,SiC薄膜由纳米晶向异质外延结构转变。XRD和拉曼结果表明:SiC薄膜的外延质量随功率增加而提高。随着我国环境问题越来越严重,水体污染特别是重金属离子污染也越来越受到人们的重视。饮用水标准中重金属离子的允许值大多在几个ppb到几个ppm之间,而在现有的测试方法中,阳极溶出伏安法因其操作简单、响应快速而受到广泛关注。本文采...
会议录	TFC'15全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74540]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王春,黄楠,庄昊,等. MPCVD制备SiC薄膜及其在重金属离子痕量检测方面的研究[C]. 见:.