Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰

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	Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰
	章蓓 ; 陈孔军 ; 王舒民 ; 虞丽生 ; 郑婉华 ; 徐俊英 ; 徐天冰 ; 朱沛然 ; 盖秀贞
刊名	红外与毫米波学报
	1993
卷号	12 期号:2 页码:127
中文摘要	分别在InP、GaAs和Si中以7×10＜′14＞和1×10＜′15＞cm＜′－2＞的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er＜′3＋＞离子特征发光的中心波长均出现在1．5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er＜′3＋＞发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参12
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家教委基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20067]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	章蓓,陈孔军,王舒民,等. Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰[J]. 红外与毫米波学报,1993,12(2):127.
APA	章蓓.,陈孔军.,王舒民.,虞丽生.,郑婉华.,...&盖秀贞.(1993).Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰.红外与毫米波学报,12(2),127.
MLA	章蓓,et al."Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰".红外与毫米波学报 12.2(1993):127.