CoSi2薄膜形成过程中的反应机制

	CoSi2薄膜形成过程中的反应机制
	何杰 ; 顾诠 ; 陈维德 ; 许振嘉
刊名	半导体学报
	1994
卷号	15 期号:8 页码:544
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6088.pdf: 526948 bytes, checksum: 86537d17dee87c515ff483d9b945e4c3 (MD5) Previous issue date: 1994; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19973]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	何杰,顾诠,陈维德,等. CoSi2薄膜形成过程中的反应机制[J]. 半导体学报,1994,15(8):544.
APA	何杰,顾诠,陈维德,&许振嘉.(1994).CoSi2薄膜形成过程中的反应机制.半导体学报,15(8),544.
MLA	何杰,et al."CoSi2薄膜形成过程中的反应机制".半导体学报 15.8(1994):544.