MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究

	MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究
	王小军 ; 郑联喜 ; 王启明 ; 庄婉如 ; 黄美纯 ; 郑婉华
刊名	发光学报
	1994
卷号	15 期号:3 页码:190
中文摘要	利用MOCVD方法得到了高质量的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,4.3nm量子阱10K PL FWHM仅为3.49meV. 通过对样品荧光谱在变激发强度,变温时的峰位,峰形研究,发现,合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因,因而是MOCVD生长中应该首先解决的问题,实验结果还表明, 在讨论低温PL谱形时,必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19955]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王小军,郑联喜,王启明,等. MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究[J]. 发光学报,1994,15(3):190.
APA	王小军,郑联喜,王启明,庄婉如,黄美纯,&郑婉华.(1994).MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究.发光学报,15(3),190.
MLA	王小军,et al."MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究".发光学报 15.3(1994):190.