超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性

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	超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
	封松林 ; 周洁 ; 卢励吾
刊名	红外与毫米波学报
	1994
卷号	13 期号:3 页码:161
中文摘要	用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。
英文摘要	用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:37导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6073.pdf: 264341 bytes, checksum: 376f91b94b58ff738a7cf396b2dc4af5 (MD5) Previous issue date: 1994; 中科院半导体所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19943]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	封松林,周洁,卢励吾. 超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(3):161.
APA	封松林,周洁,&卢励吾.(1994).超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性.红外与毫米波学报,13(3),161.
MLA	封松林,et al."超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性".红外与毫米波学报 13.3(1994):161.