深冷中性铝团簇的产生和光电离

	深冷中性铝团簇的产生和光电离
	倪国权 ; 周汝枋 ; 翟华金 ; 王育竹 ; 吴汲安
刊名	中国激光
	1994
卷号	21 期号:12 页码:957
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:31导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6052.pdf: 245608 bytes, checksum: 63aae8ce660e82e77e82ed502814a810 (MD5) Previous issue date: 1994; 国家自然科学基金; 中科院上海光学精密机械所;中科院半导体所
学科主题	半导体化学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19901]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	倪国权,周汝枋,翟华金,等. 深冷中性铝团簇的产生和光电离[J]. 中国激光,1994,21(12):957.
APA	倪国权,周汝枋,翟华金,王育竹,&吴汲安.(1994).深冷中性铝团簇的产生和光电离.中国激光,21(12),957.
MLA	倪国权,et al."深冷中性铝团簇的产生和光电离".中国激光 21.12(1994):957.