含氢碳膜的生长机制:分子动力学模拟研究低能量CH基团的作用

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	含氢碳膜的生长机制:分子动力学模拟研究低能量CH基团的作用
	宋青 1; 吉利2 ; 权伟龙 1; 张磊1 ; 田苗 1; 李红轩2 ; 陈建敏2
刊名	物理学报
	2012
卷号	61 期号:3 页码:030701(1-6)
关键词	碳膜生长 CH基团分子动力学模拟 carbon film growth CH radical molecular dynamics simulation
ISSN号	1000-3290
通讯作者	宋青
中文摘要	探索等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术中含氢碳膜的生长机理, 制备出常态超润滑含氢碳膜是表面工程技术领域的目标之一. 基于REBO势函数, 采用分子动力学模拟方法, 通过对比研究CH基团在清洁金刚石和吸氢金刚石表面的沉积行为, 发现低能量CH基团在清洁金刚石(111)面上的吸附效率大于98%, 而在吸氢金刚石(111)面上的吸附效率低1%. 结果表明PECVD法制备含氢碳膜时, 低能量CH基团对薄膜生长的贡献主要来自于其存表面非饱和IC位置的选择性吸附.
英文摘要	Molecular dynamics simulations are carried out to investigate the effect of low energy CH radical on the growth of hydrogenated carbon film. The results show that the adsorption rate of CH on clear diamond(111) is about 98%, while on hydrogenated diamond (111) the adsorption rate is lower than 1%. It indicates that the selective adsorption of low energy CH radical at the unsaturated surface C site is the dominated mechanism of the hydrogenated carbon film growth in PECVD.
学科主题	材料科学与物理化学
收录类别	SCI
资助信息	国家自然科学基金(批准号:50705093;50575217);国家创新团队基金(批准号:50421502);国家重点基础研究计划(批准号:2007CB607601)
语种	中文
WOS记录号	WOS:000301008900017
公开日期	2016-05-03
内容类型	期刊论文
源URL	[http://210.77.64.217/handle/362003/19534]
专题	兰州化学物理研究所_先进润滑与防护材料研究发展中心兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
作者单位	1.兰州交通大学数理与软件工程学院 2.中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	宋青,吉利,权伟龙,等. 含氢碳膜的生长机制:分子动力学模拟研究低能量CH基团的作用[J]. 物理学报,2012,61(3):030701(1-6).
APA	宋青.,吉利.,权伟龙.,张磊.,田苗.,...&陈建敏.(2012).含氢碳膜的生长机制:分子动力学模拟研究低能量CH基团的作用.物理学报,61(3),030701(1-6).
MLA	宋青,et al."含氢碳膜的生长机制:分子动力学模拟研究低能量CH基团的作用".物理学报 61.3(2012):030701(1-6).