高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用

	高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用
	陈良惠
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:8 页码:627
中文摘要	通过对分子束外延(MBE)中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的GaAs、AlGaAs单晶材料,实现了75mm大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性.研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低阈值电流密底、低内损耗、高量子效率的高质量量子阱激光器外延材料.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19857]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. 高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用[J]. 半导体学报,1995,16(8):627.
APA	陈良惠.(1995).高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用.半导体学报,16(8),627.
MLA	陈良惠."高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用".半导体学报 16.8(1995):627.