GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心

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	GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
	马红 ; 杨锡震 ; 周洁 ; 卢励吾 ; 封松林
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:8 页码:574
中文摘要	采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zt在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和介带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究,结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心.
英文摘要	采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zt在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和介带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究,结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:12导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6008.pdf: 410460 bytes, checksum: 2f308d367ce34f8e2815ba93c53b6f83 (MD5) Previous issue date: 1995; 北京师范大学物理学系;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19817]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	马红,杨锡震,周洁,等. GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心[J]. 半导体学报,1995,16(8):574.
APA	马红,杨锡震,周洁,卢励吾,&封松林.(1995).GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心.半导体学报,16(8),574.
MLA	马红,et al."GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心".半导体学报 16.8(1995):574.