GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定

	GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定
	陈春华 ; 陈新 ; 王佑祥 ; 姜志雄
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:10 页码:747
中文摘要	介绍了用离子注入标样测定GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的方法,并将实验数据进行离子计数-浓度,溅射时间-深度转换后求得的特征值(C_(max)、R_p、ΔR_p)等与理论计算值进行比较,二者符合较好,其中C_(max)的SIMS测量值同LSS理论计算值和Monte Carlo模拟计算值之间的平均偏差分别为9％和27％。最后,对几种GaAs基的材料和器件进行氧的定量分析,获得了有益的结果。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19815]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈春华,陈新,王佑祥,等. GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定[J]. 半导体学报,1995,16(10):747.
APA	陈春华,陈新,王佑祥,&姜志雄.(1995).GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定.半导体学报,16(10),747.
MLA	陈春华,et al."GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定".半导体学报 16.10(1995):747.