GaAs/GaAlAs多量子阱（CCTS）结构双稳态激光器的实验研究

	GaAs/GaAlAs多量子阱（CCTS）结构双稳态激光器的实验研究
	熊飞克 ; 高文智 ; 吴荣汉 ; 王启明
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:5 页码:354
中文摘要	报道了GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器.该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构,吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性,观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19805]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	熊飞克,高文智,吴荣汉,等. GaAs/GaAlAs多量子阱（CCTS）结构双稳态激光器的实验研究[J]. 半导体学报,1995,16(5):354.
APA	熊飞克,高文智,吴荣汉,&王启明.(1995).GaAs/GaAlAs多量子阱（CCTS）结构双稳态激光器的实验研究.半导体学报,16(5),354.
MLA	熊飞克,et al."GaAs/GaAlAs多量子阱（CCTS）结构双稳态激光器的实验研究".半导体学报 16.5(1995):354.