GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴

	GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴
	江德生
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:1 页码:77
中文摘要	研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(E_(Г1))和第一激发态(E_(Г_2))能级之间。实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的。在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Г能谷的基态。
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19803]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴[J]. 半导体学报,1995,16(1):77.
APA	江德生.(1995).GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴.半导体学报,16(1),77.
MLA	江德生."GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴".半导体学报 16.1(1995):77.