GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究

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	GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究
	江德生
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:4 页码:309
中文摘要	首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中,局域化能级成为X能谷电子向Γ能谷输运的通道,从而加强了X-Γ电子态混合,使实验观察到的X跃迁表现出Γ跃迁的某些性质。
英文摘要	首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中,局域化能级成为X能谷电子向Γ能谷输运的通道,从而加强了X-Γ电子态混合,使实验观察到的X跃迁表现出Γ跃迁的某些性质。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:08导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6000.pdf: 232209 bytes, checksum: 5e98cf351d1b23a6a0141abd65bebfa2 (MD5) Previous issue date: 1995; 国家自然科学基金,攀登计划; 中科院半导体所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,攀登计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19801]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究[J]. 半导体学报,1995,16(4):309.
APA	江德生.(1995).GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究.半导体学报,16(4),309.
MLA	江德生."GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究".半导体学报 16.4(1995):309.