GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

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	GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件
	吴荣汉 ; 高文智 ; 赵军 ; 段海龙 ; 林世鸣 ; 钟战天 ; 黄永箴 ; 王启明
刊名	光子学报
	1995
卷号	24 期号:5 页码:388
中文摘要	采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果,对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10 dB。所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10 fJ/(μm)~2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。
英文摘要	采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果,对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10 dB。所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10 fJ/(μm)~2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5985.pdf: 310426 bytes, checksum: 5863b87dabf4eadf01698d9ed239cf44 (MD5) Previous issue date: 1995; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19771]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	吴荣汉,高文智,赵军,等. GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件[J]. 光子学报,1995,24(5):388.
APA	吴荣汉.,高文智.,赵军.,段海龙.,林世鸣.,...&王启明.(1995).GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件.光子学报,24(5),388.
MLA	吴荣汉,et al."GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件".光子学报 24.5(1995):388.