研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法

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	研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法
	王玉田
刊名	物理学报
	1995
卷号	44 期号:7 页码:1073
中文摘要	运用高精度X射线双晶衍射仪对GeSe/Si应变超晶格进行了分析研究,实验上观测到在卫星峰之间存在着干涉条纹(Pendellosung)。建立了界面的随机概率模型,结合计算机模拟发现: Pendellosung条纹对界面的粗糙十分敏感,当界面粗糙度较小时,只影响Pendellosung条纹的规则排列,而当粗糙度较大时,不仅使Pendellosung条纹强度下降,规则排列受到破坏,并且还将导致高级卫星峰强度下降,峰形严重宽化。
英文摘要	运用高精度X射线双晶衍射仪对GeSe/Si应变超晶格进行了分析研究,实验上观测到在卫星峰之间存在着干涉条纹(Pendellosung)。建立了界面的随机概率模型,结合计算机模拟发现: Pendellosung条纹对界面的粗糙十分敏感,当界面粗糙度较小时,只影响Pendellosung条纹的规则排列,而当粗糙度较大时,不仅使Pendellosung条纹强度下降,规则排列受到破坏,并且还将导致高级卫星峰强度下降,峰形严重宽化。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5970.pdf: 455713 bytes, checksum: 36494b1ff31217dcc44f3d5ab319ef5f (MD5) Previous issue date: 1995; 中科院半导体所;南开大学物理系
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19741]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. 研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法[J]. 物理学报,1995,44(7):1073.
APA	王玉田.(1995).研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法.物理学报,44(7),1073.
MLA	王玉田."研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法".物理学报 44.7(1995):1073.