锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究

	锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究
	董文甫 ; 王启明 ; 杨沁清
刊名	光学学报
	1996
卷号	16 期号:11 页码:1641
中文摘要	研究了Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁遇极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19725]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	董文甫,王启明,杨沁清. 锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究[J]. 光学学报,1996,16(11):1641.
APA	董文甫,王启明,&杨沁清.(1996).锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究.光学学报,16(11),1641.
MLA	董文甫,et al."锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究".光学学报 16.11(1996):1641.