热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法

	热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法
	朱煜; 褚君浩; 张耀辉; 宋贺伦; 王建禄; 孟祥建; 孙硕
	2015-09-09
专利号	CN103346250B
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日期	2013-07-05
专利申请号	201310281825.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3216]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_系统集成与IC设计部_张耀辉团队
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱煜,褚君浩,张耀辉,等. 热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法. CN103346250B. 2015-09-09.