GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究
张伟
刊名半导体学报
1996
卷号17期号:11页码:869
学科主题半导体物理
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19667]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
张伟. GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究[J]. 半导体学报,1996,17(11):869.
APA 张伟.(1996).GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究.半导体学报,17(11),869.
MLA 张伟."GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究".半导体学报 17.11(1996):869.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace