980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

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	980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源
	陈良惠
刊名	北京工业大学学报
	1996
卷号	22 期号:4 页码:48
中文摘要	利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。在室温和10 K温度下,应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为32 meV和.4 meV,宽接触激光器的阈值电流密度低达140 A/cm~2。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于120 mW,基横模输出功率可达100 mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合其组合件出纤光功率典型值为40 mW,最大值可达60 mW,显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40 mW下,中心发射波长在977 nm,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源。
英文摘要	利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。在室温和10 K温度下,应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为32 meV和.4 meV,宽接触激光器的阈值电流密度低达140 A/cm~2。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于120 mW,基横模输出功率可达100 mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合其组合件出纤光功率典型值为40 mW,最大值可达60 mW,显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40 mW下,中心发射波长在977 nm,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5926.pdf: 404458 bytes, checksum: bf5407bbdcedb667666f5852fbd27daa (MD5) Previous issue date: 1996; 国家863计划; 北京工业大学;中科院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19653]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. 980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源[J]. 北京工业大学学报,1996,22(4):48.
APA	陈良惠.(1996).980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源.北京工业大学学报,22(4),48.
MLA	陈良惠."980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源".北京工业大学学报 22.4(1996):48.